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紫光国芯推出自研 PSRAM 芯片,最高 128Mb 容量

更新时间  2025-07-02 09:31:37 阅读 367

【导(dǎo)语(yǔ)】紫(zǐ)光(guāng)国(guó)芯(xīn)发(fā)布(bù)自(zì)主研(yán)发(fā)PSRAM芯(xīn)片(piàn)系(xì)列(liè),为(wèi)物(wù)联(lián)网(wǎng)等(děng)设(shè)备(bèi)提(tí)供(gōng)高(gāo)效(xiào)存(cún)储(chǔ)解(jiě)决(jué)方(fāng)案(àn)7月1日,紫光国芯宣布其自主研发的PSRAM芯片系列正式面世。该系列芯片兼容主流接口协议,容量多样,速度提升,并支持多种低功耗模式,可广泛应用于物联网、穿戴电子及端侧AI产品,满足复杂应用场景需求。

紫光国芯推出自研 PSRAM 芯片,最高 128Mb 容量

  7 月 1 日消息,紫光国芯官宣,其自主研发的PSRAM(注:伪静态随机存储器)芯片系列产品正式发布。

  此次上新的 PSRAM 产品兼容业界主流接口协议 Xccela,容量覆盖 32Mb、64Mb 和 128Mb,采用 BGA24L 超薄封装,同时也支持 KGD 产品形式。该系列产品可为物联网设备、穿戴电子产品和端侧 AI 产品打造存储解决方案。

  紫光国芯 PSRAM 产品在进一步实现芯片尺寸紧凑的同时,将产品速度提升至 1066Mbps,可实现最高 17.06Gb/s 的带宽性能;还可支持在线动态可配置 X8、X16 模式,以适配不同应用的需求。

  为满足物联网终端设备对长续航的需求,紫光国芯 PSRAM 系列产品支持包括 Half Sleep 的低功耗设计,主力产品支持常规 1.8v 低压供电,即将上市的 256Mb PSRAM 新品可支持 1.8v&1.2v 双压和 1.2v DVFS0.6v 两种超低功耗模式。

  此外,基于工规级宽温域的设计,该系列产品可适应物联网、智能穿戴等各类复杂应用场景的多样化需求。